DDR · Samsung
1Gb DDR3 SDRAM
K4B1G1646I-BYNB
Samsung
Характеристики
Samsung K4B1G1646I-BYNB
Страница содержит нормализованные открытые характеристики для RFQ. Наличие, состояние, код даты и объём тестов подтверждаются в предложении.
КатегорияDDR
ТипDDR3
Ёмкость1Gb
Скорость2133Mbps
Форм-факторFBGA
НапряжениеУточнить по ревизии
Источник данныхICQQG public catalog
Применение
Embedded systemLegacy platformIndustrial equipment
Статус независимого дистрибьютора: Yuanxin Memory is an independent distributor and is not affiliated with, authorized by, or endorsed by SK hynix Inc. All trademarks belong to their respective owners.
RFQ
Подтвердить поставку K4B1G1646I-BYNB
Укажите количество, срок, назначение и требования проверки. Базовая валюта — USD; USDT обсуждается после проверки соответствия.
WhatsApp →